기초전자실험 pre 8

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기초전자실험 pre 8.hwp

본문 기초전자실험(EECE 332) 실험 8. BJT 소자 동작 및 증폭기 회로 - Pre report - 이름: 김승혁 (전자전기공학과) 학번: 20041022 조: 7 제출일: 2006. 5. 8 (MON.) 1. npn transistor 의 Is, NF, NR 추출 1.1 Forward characteristic simulation Op-amp 의 feedback 저항값이 R=10M, 1M, 100k, 10k, 1k, 100, 10 일 때의 simulation 을 한다. - R: 10MOMEGA - R: 1MOMEGA - R: 100kOMEGA - R: 10kOMEGA - R: 1kOMEGA - R: 100OMEGA - R: 10OMEGA ▶ 1. 저항마다 다르지만 대체적으로 V _ BE 가 0.4~0.7V 이상이 되면 collector에 전류가 흐르기 시작한다. (저항이 작아질수록 V _ y 가 급격히 높아지기 시작하는 V _ BE 의 값이 커진다.) 그리고 V _ BE 가 커짐에 따라 collector 전류가 급격히 증가하게 된다. 이에 의해 V _ y 쪽의 전압도 높아진다. 2. V _ BE 가 어느 정도 이상이 되면, 이 값이 커져도 V _ y 는 일정하게 되는데, 이는 collector 전류가 어느 임계점을 넘어서면 V _ BE 이 증가해도 계속 일정하게 유지된다는 것을 말해준다. high level injection 등의 영향을 받았을 것으로 추측된다. 2 npn transistor 의 BF, BR, VAF, VAR 추출 2.1 Forward characteristic simulation RB 저항값이 R=4.7M 1개, 2개(2 개부터는 병렬로 연결), 3개, 4개, 5개일 때의 simulation 을 한다. - 1개 - 2개 - 3개 하고 싶은 말 좀 더 업그레이드하여 자료를 보완하여, 과제물을 꼼꼼하게 정성을 들어 작성했습니다. 위 자료 요약정리 잘되어 있으니 잘 참고하시어 학업에 나날이 발전이 있기를 기원합니다 ^^ 구입자 분의 앞날에 항상 무궁한 발전과 행복과 행운이 깃들기를 홧팅 키워드 실험, 추출, 이상이, 저항값, 기초, 전류